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問答題

【簡(jiǎn)答題】從存儲(chǔ)機(jī)理、芯片結(jié)構(gòu)和應(yīng)用三個(gè)方面比較SRAM和DRAM。

答案： SRAM的存儲(chǔ)機(jī)理：存儲(chǔ)電路由多個(gè)MOS管組成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器為核心，在不掉電的情況下可保持一個(gè)邏輯“0&rd...

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【簡(jiǎn)答題】?jī)?nèi)存的速度怎樣定義？什么是內(nèi)存的帶寬？

答案：描述內(nèi)存的速度的最主要指標(biāo)是讀取時(shí)間：讀取時(shí)間=從發(fā)出讀出命令到信息穩(wěn)定在存儲(chǔ)器輸出端的時(shí)間，一般單位為ns（10-9秒...

【簡(jiǎn)答題】與硬盤、RAM相比較，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器有什么優(yōu)勢(shì)和缺陷？

答案： Flash存儲(chǔ)器與硬盤相比具有存取速度快、體積小、重量輕、無噪音、抗震動(dòng)、抗電磁干擾、功耗低等優(yōu)勢(shì)，但是容量低，單位容量...