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【簡答題】簡述溶液法最關(guān)鍵因素
答案:
是控制溶液的過飽和度,使溶液達(dá)到過飽和狀態(tài),晶體只有在穩(wěn)定的過飽和溶液中生長才能確保晶體的質(zhì)量。
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【簡答題】簡述浮區(qū)法(垂直區(qū)熔法)特點(diǎn)
答案:
不需要坩堝,可以生長高熔點(diǎn)材料晶體。(例如,W單晶,熔點(diǎn)3400℃)熔區(qū)的穩(wěn)定靠表面張力與重力的平衡來保持
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【簡答題】簡述晶體泡生法原理
答案:
將一根冷的籽晶與熔體接觸,如果界面溫度低于凝固點(diǎn),則籽晶開始生長。
為了使晶體不斷長大,就需要逐漸降低熔體的溫...
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