A、單個(gè)缺陷反射波幅 B、缺陷引起的底波降低量 C、缺陷密集區(qū)占探傷總面積百分比 D、以上都可以作為獨(dú)立評(píng)級(jí)的依據(jù)
A、≥Φ3mm當(dāng)量的密集區(qū) B、當(dāng)量>Φ4mm的單個(gè)缺陷 C、當(dāng)量等于Φ4mm的缺陷密集區(qū) D、b和c
A、I B、II C、III D、不定