A、磁化強(qiáng)度為一定時(shí)，缺陷高度小于1mm的形狀相似的表面缺陷，其漏磁通與缺陷高度無關(guān)
B、缺陷離試件表面越近，缺陷漏磁通越小
C、在磁化狀態(tài)、缺陷種類和大小為一定時(shí)，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影響
D、交流磁化時(shí)，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)要小
E、當(dāng)磁化強(qiáng)度、缺陷種類和大小為一定時(shí)，缺陷處的漏磁通密度受磁化方向的影響
F、c，d和e都對(duì)