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單項選擇題

用末端屏蔽法測量220kV串級式電壓互感器的tgδ，在試品底座法蘭對地絕緣，電橋正接線、Cx引線接試品x、xD及底座條件下，其測得值主要反映（）的絕緣狀況。

A.一次繞組及下鐵芯支架對二次繞組及地；
B.處于下鐵芯下芯柱的1／4一次繞組及下鐵芯支架對二次繞組及地；
C.處于下鐵芯下芯柱的的1／4一次繞組端部對二次繞組端部之間的及下鐵芯支架對殼之間；
D.上下鐵芯支架。

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單項選擇題

用末端屏蔽法測量110kV串級式電壓互感器的tgδ時，在試品底座法蘭接地、電橋正接線、Cx引線接試品x、xD端條件下，其測得值主要反映的是（）的絕緣狀況。

A.一次繞組對二次繞組及地；
B.處于鐵芯下芯柱的1／2一次繞組對二次繞組之間；
C.鐵芯支架；
D.處于鐵芯下芯柱的1／2一次繞組端部對二次繞組端部之間。

單項選擇題

測量局部放電時，要求耦合電容（）。

A.tgδ?。?br /> B.絕緣電阻高；
C.泄漏電流?。?br /> D.在試驗電壓下無局部放電。