A、擴散硅芯片由單晶硅經(jīng)過采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴散制成
B、其硅片上沿單晶硅的特點晶向，制成應變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋
C、集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體
D、根據(jù)壓阻效應，將壓力轉(zhuǎn)換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流，再根據(jù)電流變化與壓力大小的非線性關(guān)系，推算壓力大小。

A、硅晶體的壓阻效應
B、硅晶體的擴散效應
C、硅晶體的應變效應
D、硅晶體的半導體特性