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單項(xiàng)選擇題

在同樣的過(guò)飽和度下，較高溫度時(shí)晶體成長(zhǎng)的速率與晶核生成速率相比要（）。

A、慢
B、快
C、相等
D、無(wú)法比較

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單項(xiàng)選擇題

當(dāng)（）時(shí)，流動(dòng)為層流，此區(qū)成為層流區(qū)。

A、Re≤2000
B、2000≤Re≤4000
C、Re≤4000
D、Re≥40000

單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中不是表示濃度單位的是（）。

A、PPm
B、ti
C、mg/l
D、μs/cm