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單項選擇題

離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。

A.能量
B.劑量

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單項選擇題

離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

A.能量
B.劑量

多項選擇題

硅外延片的應(yīng)用包括（）。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路