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單項(xiàng)選擇題

干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個大氣壓。

A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.沒有要求

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單項(xiàng)選擇題

下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會高些（）。

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無關(guān)

單項(xiàng)選擇題

二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。

A.電
B.磁
C.光
D.熱