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單項選擇題

對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴散

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單項選擇題

擴散工藝現(xiàn)在廣泛應用于制作（）。

A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結

多項選擇題

擴散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來制作（）。

A.埋層
B.外延
C.PN結
D.擴散電阻
E.隔離區(qū)