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多項(xiàng)選擇題

在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。

A.晶圓頂層的保護(hù)層
B.多層金屬的介質(zhì)層
C.多晶硅與金屬之間的絕緣層
D.摻雜阻擋層
E.晶圓片上器件之間的隔離

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多項(xiàng)選擇題

在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則（）。

A.使薄膜的介電常數(shù)變大
B.可能引入雜質(zhì)
C.可能使薄膜層間短路
D.使薄膜介電常數(shù)變小
E.可能使薄膜厚度增加

多項(xiàng)選擇題

在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有（）。

A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應(yīng)力
D.純凈度
E.電容