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單項(xiàng)選擇題

刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水

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多項(xiàng)選擇題

在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。

A.MOS柵極
B.保護(hù)性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲(chǔ)器PROM
E.晶圓背面電鍍

多項(xiàng)選擇題

銅與鋁相比較，其性質(zhì)有（）。

A.銅的電阻率比鋁小
B.鋁的熔點(diǎn)較高
C.鋁的抗電遷移能力較弱
D.銅與硅的接觸電阻較小
E.銅可以在低溫下淀積