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單項選擇題

刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點的厚度，并計算這些點的刻蝕速率而得到的。

A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案

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多項選擇題

通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進行中（）的刻蝕速率盡量低。

A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴散區(qū)
E.源漏區(qū)

單項選擇題

（）是測量在刻蝕過程中物質被移除的速率有多快的一種參數(shù)。

A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時間