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單項選擇題

考慮一個特殊的半導(dǎo)體樣品，通過計算，已知少子輻射復(fù)合壽命為150μs，俄歇復(fù)合壽命為50μs，陷阱復(fù)合過程的壽命為25μs，假設(shè)沒有其它的有效復(fù)合過程，那么該材料少子的凈壽命是（）

A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs

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單項選擇題

在大同地區(qū)（北緯40.1°，東京113.3°）建一太陽能光伏電站，若所用太陽能電池板方陣高度為2m，方陣最佳傾斜角為45°，則兩排方陣之間的最小距離為（）

A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m

單項選擇題

下面哪個不是國際上統(tǒng)一規(guī)定的地面太陽能電池的標(biāo)準(zhǔn)測試條件（）

A.光源輻照度為1000W/m
B.測試溫度為25℃
C.AM1.0地面太陽光譜輻照度分布
D.AM1.5地面太陽光譜輻照度分布