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多晶硅表面的結(jié)晶面是多重的,因此不能像單晶硅基片那樣,使用()的不同方向腐蝕的化學蝕刻方法。
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氫氧化鉀
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由于有漏電電流流動,使所謂的反向飽和電流密度(),從而減少了開路電壓。
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變大
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目前世界上,用鑄造法制造基片得到的小面積電池片的最高轉(zhuǎn)換效率可達到()。
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19.8%
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