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填空題

GaAs以及InP的禁帶寬度分別為（）；（），與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。

答案： 1.42ev、1.35ev

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太陽能單一結(jié)電池片可以分為（）；（）、雙異質(zhì)性結(jié)構(gòu)、傾斜禁帶寬度型、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、短鍵位壘型、量子阱結(jié)構(gòu)超晶格結(jié)構(gòu)、Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。

答案：同種材料pn結(jié)型、異質(zhì)表面性

在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中，為了得到20%以上的高效率，必須讓結(jié)合深度在（）以下的淺層處，因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中，通入插入寬禁帶寬度的窗層，增加結(jié)合深度高定的自由度，就可以實(shí)現(xiàn)高效率。

答案： 50nm