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芯片硅片制造廠可以分為6個獨立的生產區(qū):擴散區(qū)、()、刻蝕區(qū)、()、()和拋光區(qū)。
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光刻區(qū);注入區(qū);薄膜區(qū)
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熱擴散利用()驅動雜質穿過硅的晶體結構,這種方法受到()和()的影響。
答案:
高溫;時間;溫度
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硅中固態(tài)雜質的熱擴散需要三個步驟()、()和()。
答案:
預淀積;推進;激活
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