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二氧化硅是一種介質(zhì)材料,不導(dǎo)電。
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暴露在高溫的氧氣氛圍中,硅片上能生長(zhǎng)出氧化硅。生長(zhǎng)一詞表示這個(gè)過(guò)程實(shí)際是消耗了硅片上的硅材料。
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當(dāng)硅片暴露在空氣中時(shí),會(huì)立刻生成一層無(wú)定形的氧化硅薄膜。
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