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單項(xiàng)選擇題

如鉭電容引線有熔接點(diǎn)，彎曲點(diǎn)不允許在熔接點(diǎn)和元器件之間，熔接點(diǎn)到彎曲點(diǎn)之間應(yīng)保留（）距離合適。

A.1mm
B.2mm
C.3mm
D.4mm

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單項(xiàng)選擇題

元器件引線經(jīng)過彎曲成形，表面鍍層剝落不應(yīng)大于引線直徑的（）。

A.1/10
B.1/5
C.1/3
D.1/2

單項(xiàng)選擇題

搪錫高度距元器件引線根部大約是（）。

A.1mm
B.2mm
C.3mm
D.4mm