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單項(xiàng)選擇題
固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護(hù)氣中,在()攝氏度以上進(jìn)行常規(guī)熱處理。
A、300
B、400
C、500
D、600
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單項(xiàng)選擇題
如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì),在通常情況下,可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍,其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為().
A.1/(NA-ND.eup
B.1/(NA-ND.eC.up/(NA-ND.e
D.1/(NA+ND.eup
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】用冷熱探筆法測(cè)量P型半導(dǎo)體時(shí),為什么冷端帶正電,熱端帶負(fù)電?
答案:
樣品為P型材料,載流子的熱運(yùn)動(dòng)速度與溫度有關(guān),熱區(qū)的空穴熱運(yùn)動(dòng)速度大,冷區(qū)的空穴熱運(yùn)動(dòng)速度小。因此,熱端向冷端運(yùn)動(dòng)的空穴...
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