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單項(xiàng)選擇題

正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進(jìn)行第一次熔化過(guò)后，能不能進(jìn)入第二次提純這個(gè)階段（）.

A、能
B、不能
C、不確定
D、有時(shí)可以，有時(shí)不可以

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單項(xiàng)選擇題

當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.

A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定

單項(xiàng)選擇題

制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.

A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液