A.10～30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢，30keV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢
B.10～30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，30keV～25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢
C.10～30keV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢，30keV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢
D.10～30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢，30keV～25MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢
E.10～30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，30keV～25MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢

A.對低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主
B.對中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
C.對低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，電子對效應(yīng)為主
D.對低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
E.對高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主