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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】熱生長(zhǎng)SiO₂ – Si系統(tǒng)中的電荷有哪些？

答案：界面陷阱電荷、可移動(dòng)氧化物電荷。

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】影響氧化速度的因素有哪些？

答案：摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣。

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】描述熱氧化過(guò)程。

答案： ①干氧：Si＋O₂ SiO₂
氧化速度慢，氧化層干燥、致...