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問答題

【簡答題】焰熔法優(yōu)點

答案： ①此方法生長單晶體不需要坩堝，因此既節(jié)約了做坩堝的耐高溫材料，又避免坩堝造成的污染；②氫氧焰燃燒溫度可達2800℃，可生...

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【簡答題】助溶劑法晶體生長的特點

答案： ①三維成核要求的過飽和度一般都比較大，晶體生長階段所需要的過飽和度也比較高；②晶體生長階段一般遵從螺旋位錯生長機制，或通...

【簡答題】提拉法主要優(yōu)點

答案： ①在生長過程中，可以方便的觀察晶體的生長狀況；②晶體在熔體的自由表面處生長，而不與坩堝相接觸，可顯著減小晶體的應力并防止...