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單項(xiàng)選擇題

將硅錠切割成硅片的過程中，多線切割對(duì)硅片造成的損傷層的厚度約為（）μm。

A.10
B.20
C.5
D.15

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單項(xiàng)選擇題

光伏電池組件電學(xué)特性測(cè)試中不必用到的設(shè)備是（）。

A.氣壓表
B.電流表
C.電壓表
D.滑動(dòng)變阻器

單項(xiàng)選擇題

測(cè)量太陽(yáng)電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測(cè)量它的（）。

A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性