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單項選擇題

根據(jù)構(gòu)成能障的界面情況的不同，形核方式包括（）

A.螺旋位錯生長
B.旋轉(zhuǎn)孿晶生長
C.反射孿晶生長
D.均質(zhì)形核

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單項選擇題

異質(zhì)形核速率與下列哪種方式無關(guān)（）

A.過冷度
B.界面
C.液態(tài)金屬的過熱
D.操作

單項選擇題

晶體宏觀長大方式包括（）

A.樹枝晶方式生長
B.旋轉(zhuǎn)孿晶生長
C.反射孿晶生長
D.螺旋位錯生長