單項(xiàng)選擇題

關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì)，下列說(shuō)法最為合適的是（）。

A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對(duì)于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對(duì)于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)

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單項(xiàng)選擇題

對(duì)于半導(dǎo)體材料，若（），導(dǎo)電能力減弱。

A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素

單項(xiàng)選擇題

金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而（）；半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（）。

A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高

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關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì)，下列說(shuō)法最為合適的是（）。

你可能感興趣的試題

對(duì)于半導(dǎo)體材料，若（），導(dǎo)電能力減弱。

金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而（）；半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（）。

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關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì)，下列說(shuō)法最為合適的是（）。

對(duì)于半導(dǎo)體材料，若（），導(dǎo)電能力減弱。

金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而（）；半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（）。