A、盡量縮短TR。 B、增加重復采集次數。 C、縮短TE。 D、增加層厚。 E、利用相控陣線圈。
A、呼吸運動偽影。 B、血管搏動偽影。 C、化學位移偽影。 D、卷褶偽影。 E、金屬異物偽影。
A、提高主磁場的場強。 B、增大矩陣。 C、增大FOV。 D、增加重復采集次數。 E、用表面線圈替代體線圈。