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A、溫度
B、濕度
C、光照度
D、粉塵

A、能承受較大的電流
B、減少每個(gè)晶閘管的d_i/d_t
C、減少開關(guān)損耗
D、使元器件在較低的結(jié)溫下有較短的關(guān)斷時(shí)間

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