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多項(xiàng)選擇題

ICP中等離子體環(huán)狀結(jié)構(gòu)形成的原因是（）。

A.高頻電流的趨膚效應(yīng)
B.內(nèi)管栽氣的氣體動力學(xué)作用
C.高頻發(fā)生器
D.三層炬管
E.單層炬管

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多項(xiàng)選擇題

ICP-AES法中檢出限高低取決于（）。

A.儀器操作參數(shù)
B.進(jìn)樣方法
C.元素性質(zhì)
D.酸度
E.操作水平

多項(xiàng)選擇題

ICP光譜干擾包括（）。

A.連續(xù)背景輻射
B.譜線重疊干擾
C.揮發(fā)和原子化干擾
D.激發(fā)和電離干擾
E.化學(xué)干擾