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單項(xiàng)選擇題

下圖為m×n的RAM，WE及ME的電位分別為（）時(shí)，為數(shù)據(jù)寫(xiě)入。

A.W_E=1，M_E=0
B.W_E=1，M_E=1
C.W_E=0，M_E=0
D.W_E=0，M_E=1

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單項(xiàng)選擇題

如圖所示總線結(jié)構(gòu)的原理圖，4個(gè)寄存器A，B，C和D，其控制字CON=（）

A.W₁W₂W₃W₄
B.L_AE_AL_BE_BL_CE_CL_DE_DCLK
C.L_AE_AL_BE_BL_CE_CL_DE_D

單項(xiàng)選擇題

MDR和MAR以及RAM的聯(lián)系如圖所示，MDR和MAR分別是（）位的寄存器。

A.8，8
B.8，12
C.12，8
D.12，12