單項選擇題

下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲器及高帶寬外部存儲器控制接口的敘述，其中錯誤的是（）

A.ARM芯片片內(nèi)配有的Flash存儲器，通常用作系統(tǒng)的程序存儲器
B.ARM芯片內(nèi)的Cache采用SRAM
C.高帶寬外部存儲器控制接口只能用于擴(kuò)展系統(tǒng)的程序存儲器
D.高帶寬外部存儲器控制接口與AMBA的系統(tǒng)總線部分相連

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單項選擇題

微硬盤是一種由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展而來的外部存儲設(shè)備，下面關(guān)于微硬盤的敘述中，錯誤的是（）

A.目前1.8英寸的微硬盤容量已達(dá)幾百GB
B.帶有數(shù)據(jù)緩存，有利于提高數(shù)據(jù)傳輸率
C.采用USB接口時，一般須另加外部電源
D.為使微硬盤適用于多種手持裝置，其接口可采用多種標(biāo)準(zhǔn)，如CF卡、PCMCIA、USB 2.0、ATA等

單項選擇題

下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的DMA控制器的敘述，其中錯誤的是（）

A.DMA是指直接存儲器訪問
B.嵌入式系統(tǒng)通過使用DMA控制器可降低處理器內(nèi)核在數(shù)據(jù)傳輸操作中的負(fù)擔(dān)
C.ARM處理器中的DMA控制器與AMBA的系統(tǒng)總線部分相連
D.ARM處理芯片中的串行通信接口、USB接口等，只能通過DMA控制器控制其數(shù)據(jù)傳輸而不能由ARM內(nèi)核控制

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下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲器及高帶寬外部存儲器控制接口的敘述，其中錯誤的是（）

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微硬盤是一種由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展而來的外部存儲設(shè)備，下面關(guān)于微硬盤的敘述中，錯誤的是（）

下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的DMA控制器的敘述，其中錯誤的是（）

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下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲器及高帶寬外部存儲器控制接口的敘述，其中錯誤的是（）

微硬盤是一種由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展而來的外部存儲設(shè)備，下面關(guān)于微硬盤的敘述中，錯誤的是（）

下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的DMA控制器的敘述，其中錯誤的是（）