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在書(shū)寫(xiě)晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí),上標(biāo)’’表示帶()個(gè)電荷。
A.-1
B.+2
C.-2
D.+1
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熱缺陷可以分為()類(lèi)。
A.1
B.2
C.3
D.4
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點(diǎn)缺陷根據(jù)成分可以分為()類(lèi)。
A.1
B.2
C.3
D.4
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