A.DRAM將每個位存儲為對一個電容的充電 B.SRAM對光干擾敏感,對電干擾不敏感 C.SRAM主要用于高速緩存 D.SRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性 B.SRAM將每個位存儲為對一個電容的充電 C.DRAM主要用于主存,幀緩沖區(qū) D.SRAM對干擾非常敏感
A.循環(huán)展開 B.創(chuàng)建多個累積變量 C.重新變換結合 D.以上都是