單項選擇題

以下關(guān)于光電效應(yīng)的敘述，哪一條是錯誤的（）

A.光電效應(yīng)發(fā)生幾率隨光子能量的增大而減小
B.光電效應(yīng)發(fā)生幾率隨材料的原子序數(shù)增大而增大
C.光電效應(yīng)過程中除產(chǎn)生光電子外，有時還會產(chǎn)生反沖電子
D.光電效應(yīng)發(fā)射出的電子的能量肯定小于入射光子的能量

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單項選擇題

所謂缺陷（DefeCts）是指（）

A.底片因刮傷、擦傷、手紋、污染等造成的顯示
B.照相技術(shù)不良、扭曲、幾何形狀變化等產(chǎn)生的顯示
C.物件中屬于正常結(jié)構(gòu)以外的不連續(xù)狀況
D.會損害到物件的使用，或超出規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)

單項選擇題

活度為80Ci、平均能量為1.66MeV的同位素源，經(jīng)過3個半衰期后，其平均能量為（）

A.0.008MeV
B.0.22MeV
C.0.33MeV
D.1.66MeV

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以下關(guān)于光電效應(yīng)的敘述，哪一條是錯誤的（）

你可能感興趣的試題

所謂缺陷（DefeCts）是指（）

活度為80Ci、平均能量為1.66MeV的同位素源，經(jīng)過3個半衰期后，其平均能量為（）

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以下關(guān)于光電效應(yīng)的敘述，哪一條是錯誤的（）

活度為80Ci、平均能量為1.66MeV的同位素源，經(jīng)過3個半衰期后，其平均能量為（）