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問答題

【簡(jiǎn)答題】（a）在MgO晶體中，肖特基缺陷的生成能為6ev，計(jì)算在25℃和1600℃時(shí)熱缺陷的濃度。（b）如果MgO晶體中，含有百萬分之一mol的Al2O3雜質(zhì)，則在1600℃時(shí)，MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢(shì)還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢(shì)？說明原因。

答案：

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【簡(jiǎn)答題】
Si和Al原子的相對(duì)質(zhì)量非常接近（分別為28.09和26.98），但是SiO2和Al2O3的密度相差很大，（分別為2.65g／cm³，3.96g／cm³ ）。試計(jì)算SiO2和Al2O3的堆積密度，并用晶體結(jié)構(gòu)及鮑林規(guī)則說明密度相差大多的原因。

答案：

【簡(jiǎn)答題】
（1）畫出O2-作而心立方堆積時(shí)，各四面體空隙和八面體空隙的所在位置（以一個(gè)晶胞為結(jié)構(gòu)基元表示出來）。
（2）計(jì)算四面體空隙數(shù)、八而體空隙數(shù)與O2-數(shù)之比。
（3）根據(jù)電價(jià)規(guī)則，在下面情況下，空隙內(nèi)各需填入何種價(jià)數(shù)的陽離子，并對(duì)每一種結(jié)構(gòu)舉出—個(gè)例子。
（a）所有四面體空隙位置均填滿；
（b）所有八而體空隙位置均填滿；
（c）填滿—半四面體空隙位置；
（d）填滿—半八面休空隙位置

答案：