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多項(xiàng)選擇題

IGBT功率器件同時(shí)具有（）和較低的飽和壓降從而能夠很自然地跨入高電壓大電流的工作領(lǐng)域。

A.較高的輸入阻抗
B.較低的輸入阻抗
C.較高的工作頻率
D.較低的工作頻率

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多項(xiàng)選擇題

用來表示二極管性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)稱為二極管的參數(shù)，主要包括（）。

A.最大整流電流
B.最高反向工作電壓
C.反向電流
D.漏電流

多項(xiàng)選擇題

可控硅元件一旦導(dǎo)通后，如欲要使可控硅元件關(guān)斷可通過以下哪些方法（）。

A.可減小陽極電流到維持電流（維持可控硅導(dǎo)通的最小電流）以下
B.加大陽極電壓
C.加上反壓來實(shí)現(xiàn)
D.關(guān)斷門極電壓