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單項(xiàng)選擇題

用末端屏蔽法測(cè)量220kV串級(jí)式電壓互感器的tgδ，在試品底座法蘭對(duì)地絕緣，電橋正接線(xiàn)、Cx引線(xiàn)接試品x、xD及底座條件下，其測(cè)得值主要反映（）的絕緣狀況

A.一次繞組及下鐵芯支架對(duì)二次繞組及地
B.處于下鐵芯下芯柱的1／4一次繞組及下鐵芯支架對(duì)二次繞組及地
C.處于下鐵芯下芯柱的的1／4一次繞組端部對(duì)二次繞組端部之間的及下鐵芯支架對(duì)殼之間
D.上下鐵芯支架

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單項(xiàng)選擇題

用末端屏蔽法測(cè)量110kV串級(jí)式電壓互感器的tgδ時(shí)，在試品底座法蘭接地、電橋正接線(xiàn)、Cx引線(xiàn)接試品x、xD端條件下，其測(cè)得值主要反映的是（）的絕緣狀況

A.一次繞組對(duì)二次繞組及地
B.處于鐵芯下芯柱的1／2一次繞組對(duì)二次繞組之間
C.鐵芯支架
D.處于鐵芯下芯柱的1／2一次繞組端部對(duì)二次繞組端部之間

單項(xiàng)選擇題

測(cè)量局部放電時(shí)，要求耦合電容（）

A.tgδ小
B.絕緣電阻高
C.泄漏電流小
D.在試驗(yàn)電壓下無(wú)局部放電