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單項(xiàng)選擇題

目前TD-LTE基帶芯片的最高工藝為多少工藝水平？

A、65nm
B、45nm
C、28nm
D、90nm

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單項(xiàng)選擇題

4G終端是移動互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的重要驅(qū)動，中國移動將在今年采購超過（）部LTE終端，以推動TD-LTE終端規(guī)?；l(fā)展。

A、0.8億
B、1億
C、1.5億
D、2億

單項(xiàng)選擇題

TD-LTE中，判斷終端是否處于小區(qū)覆蓋邊緣主要通過（）

A、CRS-SINR
B、RSRP
C、RSSI
D、RSRQ