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單項選擇題

當熱氧化的最初階段，（）為限制反應速率的主要原因。

A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學反應
C.氧的擴散速率
D.壓力

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單項選擇題

當二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比

多項選擇題

干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點（）。

A.生長的二氧化硅薄膜均勻性好
B.生長的二氧化硅干燥
C.生長的二氧化硅結構致密
D.生長的二氧化硅是很理想的鈍化膜
E.生長的二氧化硅掩蔽能力強