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單項選擇題

固體中的擴散模型主要有填隙機制和（）。

A.自擴散機制
B.雜質(zhì)擴散機制
C.空位機制
D.菲克擴散方程機制

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單項選擇題

對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴散

單項選擇題

擴散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）。

A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結(jié)