日韩欧美亚洲 _ 欧美亚洲一区 _ 日本亚洲欧美 _ 亚洲精品欧美国产白袜脚足J棉袜在线观看_亚洲熟妇av一区二区三区_久久天天躁狠狠躁夜_精品众筹模特私拍在线

單項(xiàng)選擇題

不可以對SiO₂進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。

A.CHF₃
B.C₂F₆
C.C₃F₈
D.HF

你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

大硅片上生長的（）的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。

A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔

單項(xiàng)選擇題

刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。

A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案