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單項(xiàng)選擇題

晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對它的刻蝕要盡可能的小。

A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場氧化層

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單項(xiàng)選擇題

多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅

單項(xiàng)選擇題

請?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide