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多項(xiàng)選擇題

為了滿足半導(dǎo)體器件對(duì)金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應(yīng)該滿足（）。

A.低電阻率
B.易與p或n型硅形成歐姆接觸
C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)
D.易于光刻
E.便于進(jìn)行鍵合

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單項(xiàng)選擇題

（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來進(jìn)行薄膜沉積的。

A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD

單項(xiàng)選擇題

（）是以物理的方法來進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。

A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD