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干式法由于應(yīng)力自由,因此即可以適用于切割大面積基片,又可以適用于()的過(guò)程。
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高斜率
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填空題
多晶硅表面的結(jié)晶面是多重的,因此不能像單晶硅基片那樣,使用()的不同方向腐蝕的化學(xué)蝕刻方法。
答案:
氫氧化鉀
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由于有漏電電流流動(dòng),使所謂的反向飽和電流密度(),從而減少了開路電壓。
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變大
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