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單項(xiàng)選擇題

硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.

A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型

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單項(xiàng)選擇題

固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護(hù)氣中，在（）攝氏度以上進(jìn)行常規(guī)熱處理。

A、300
B、400
C、500
D、600

單項(xiàng)選擇題

如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.

A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp