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單項選擇題

用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。

A.重要步驟
B.次要步驟
C.首要步驟
D.不一定

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多項選擇題

為了滿足半導體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應該滿足（）。

A.低電阻率
B.易與p或n型硅形成歐姆接觸
C.可與硅或二氧化硅反應
D.易于光刻
E.便于進行鍵合

單項選擇題

（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。

A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD