半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

問(wèn)答題
采用CF4作為氣體源對(duì)SiO2進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對(duì)刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加，對(duì)Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？
答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO₂
問(wèn)答題
寫(xiě)出菲克第一定律和第二定律的表達(dá)式，并解釋其含義。
答案：費(fèi)克第一定律：C雜質(zhì)濃度；D擴(kuò)散系數(shù)（單位為cm2/s）J材料凈流量（單位時(shí)間內(nèi)流過(guò)單位面積的原子個(gè)數(shù)）解釋：如果在一個(gè)...
問(wèn)答題
什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？
答案：溝道效應(yīng)：對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注入，當(dāng)離子速度方向平行于主晶軸時(shí)，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，注入深度很深。由于溝道...
問(wèn)答題
集成電路制造中有哪幾種常見(jiàn)的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
答案：擴(kuò)散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴(kuò)散，液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散（1）.開(kāi)管擴(kuò)散...
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述硼和磷的退火特性。
答案：硼退火特性電激活比例：自由載流子數(shù)p和注入劑量Ns的比對(duì)于低劑量的情況，隨退火溫度上升，電激活比例增大。對(duì)于高劑量情況，...
問(wèn)答題
在MEMS加工中，為了精確控制腐蝕深度，有哪幾種腐蝕停止技術(shù)，分別說(shuō)一下其腐蝕停止原理。
答案：腐蝕停止目的：為了精確控制腐蝕深度.P++腐蝕停止技術(shù)（形成重?fù)诫sB層）：Si的濕法腐蝕速率在B摻雜濃度<1×10
問(wèn)答題
從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。
答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子，將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱為電...
問(wèn)答題
典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡(jiǎn)述各步驟的作用。
答案：涂膠→前烘→對(duì)準(zhǔn)與曝光→曝光后烘烤→顯影→堅(jiān)膜→顯影檢查
問(wèn)答題
下圖為硅外延生長(zhǎng)速度對(duì)H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢(shì)，并給出其變化的原因。
答案：SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠(yuǎn)小于被釋放出來(lái)的硅原...
問(wèn)答題
個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。
答案：
分辨率：
焦深：

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

采用CF4作為氣體源對(duì)SiO2進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對(duì)刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加，對(duì)Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

寫(xiě)出菲克第一定律和第二定律的表達(dá)式，并解釋其含義。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？

集成電路制造中有哪幾種常見(jiàn)的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

簡(jiǎn)述硼和磷的退火特性。

在MEMS加工中，為了精確控制腐蝕深度，有哪幾種腐蝕停止技術(shù)，分別說(shuō)一下其腐蝕停止原理。

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡(jiǎn)述各步驟的作用。

下圖為硅外延生長(zhǎng)速度對(duì)H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢(shì)，并給出其變化的原因。

個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

采用CF4作為氣體源對(duì)SiO2進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對(duì)刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加，對(duì)Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

寫(xiě)出菲克第一定律和第二定律的表達(dá)式，并解釋其含義。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？

集成電路制造中有哪幾種常見(jiàn)的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

簡(jiǎn)述硼和磷的退火特性。

在MEMS加工中，為了精確控制腐蝕深度，有哪幾種腐蝕停止技術(shù)，分別說(shuō)一下其腐蝕停止原理。

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡(jiǎn)述各步驟的作用。

下圖為硅外延生長(zhǎng)速度對(duì)H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢(shì)，并給出其變化的原因。

個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。

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采用CF4作為氣體源對(duì)SiO2進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對(duì)刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加，對(duì)Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

寫(xiě)出菲克第一定律和第二定律的表達(dá)式，并解釋其含義。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？

集成電路制造中有哪幾種常見(jiàn)的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

在MEMS加工中，為了精確控制腐蝕深度，有哪幾種腐蝕停止技術(shù)，分別說(shuō)一下其腐蝕停止原理。

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡(jiǎn)述各步驟的作用。

下圖為硅外延生長(zhǎng)速度對(duì)H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢(shì)，并給出其變化的原因。

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